时间：2025/6/22 3:14:30
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UBQ10A03L04 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能等特性。UBQ10A03L04 常用于需要高效功率转换和低功耗的电路设计中，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及其他各种电源管理应用。
这款 MOSFET 的额定电压为 30V，适合在较低电压环境下工作，同时其极低的导通电阻使得它成为高效率功率传输的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：9.6A
导通电阻（Rds(on)）：3mΩ（典型值，在 Vgs=10V 条件下）
栅极阈值电压：1.3V 至 2.5V
最大功耗：1.1W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：USP-6 (SOT-893)
UBQ10A03L04 具有以下主要特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 支持逻辑电平驱动，最低开启电压低至 1.3V，非常适合电池供电设备或低压系统的使用。
3. 小型化封装 USP-6 (SOT-893)，有助于节省 PCB 空间，特别适合紧凑型设计。
4. 快速开关性能，能够减少开关损耗并提升高频应用中的表现。
5. 高温可靠性，最高结温可达 175℃，适应苛刻的工作环境。
UBQ10A03L04 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的电源管理，如智能手机和平板电脑。
2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
3. 各种便携式电子产品中的负载开关。
4. 小型电机驱动及控制电路。
5. 开关电源和电池管理系统（BMS）。
