UB1113C-K1-4F 时间：2025/7/10 0:22:56 阅读：28

UB1113C-K1-4F是一种专为开关电源（SMPS）应用设计的功率MOSFET，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件采用TO-252封装形式，适合于高频DC-DC转换器、同步整流器以及各类消费类电子产品的电源管理电路。UB1113C-K1-4F以其出色的电气性能和可靠性，成为许多高效能电源解决方案中的关键元件。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：40V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　持续漏极电流(Id)：13A
　　导通电阻(Rds(on))：9mΩ
　　栅极电荷(Qg)：18nC
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

UB1113C-K1-4F是一款高性能功率MOSFET，其主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，适用于高频应用场合。
　　3. 高额定电流Id，确保在重载条件下也能稳定运行。
　　4. 具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的性能。
　　5. 小型化封装设计，节省PCB空间，适合紧凑型设计需求。
　　6. 符合RoHS标准，绿色环保，满足国际环保法规要求。

应用

该功率MOSFET广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器及降压/升压电路中的功率开关。
　　3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护开关。
　　4. 各种消费类电子产品，如笔记本电脑适配器、电视电源模块等。
　　5. 工业控制设备中的功率调节与驱动电路。
　　6. LED驱动电源中用于实现恒流或恒压输出的功率级控制。