类型：功率MOSFET
　　制造商：Vishay Siliconix
　　漏源电压(Vds)：100V
　　连续漏极电流(Id)：180A
　　Rds(导通)：约1.8mΩ
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　栅极电荷(Qg)：约250nC
　　漏源击穿电压：100V
　　最大功耗：约300W

UAR18210RCC9P 采用先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力和优异的热管理性能，能够在极端温度下稳定工作。其TO-263（D2PAK）封装设计不仅提供了良好的散热能力，还支持表面贴装技术（SMT），便于在高密度PCB设计中使用。该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗并提高开关速度，适用于高频开关应用。UAR18210RCC9P 还具有优异的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下提供额外的保护。此外，该MOSFET的耐用性和可靠性使其在苛刻的工作环境中表现出色，适用于工业电源、电动车辆（EV）充电系统、太阳能逆变器以及高性能电源转换器等应用。
　　

UAR18210RCC9P 广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中，例如：
　　- 电源供应器和DC-DC转换器
　　- 电动车辆（EV）充电系统
　　- 太阳能逆变器
　　- 工业电机控制和驱动器
　　- 高功率负载开关
　　- 电池管理系统（BMS）
　　- 高频开关电源（SMPS）
　　- 功率因数校正（PFC）电路
　　- 电力电子变换器和逆变器
　　- 高性能电源管理系统

SiHF18210-E3
　　IRFP4468PBF
　　STP182N10F7AG
　　FDMS86180