时间：2025/5/12 10:08:22
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TZC3P200AA01R00 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件，广泛应用于高效率电源转换、电机驱动和新能源领域。该芯片采用先进的 SiC 技术制造，具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力等优势，适合在高温和高频条件下运行。
与传统的硅基功率器件相比，TZC3P200AA01R00 提供了更出色的性能，可显著降低系统能耗并提升整体效率。
额定电压：1200V
额定电流：200A
导通电阻：1.5mΩ
最大工作温度：175°C
栅极电荷：80nC
开关损耗：低
封装形式：D2PAK
1. 高击穿电压和低导通电阻设计，能够有效减少导通损耗。
2. 快速开关速度和低栅极电荷，有助于降低开关损耗，提高工作效率。
3. 碳化硅材料具备优异的热稳定性和可靠性，能够在更高温度下长期稳定运行。
4. 优化的寄生电感设计，确保在高频条件下的最佳性能表现。
5. 具备过流保护功能，增强系统的安全性和稳定性。
6. 封装设计紧凑，易于集成到各类应用中。
1. 太阳能逆变器中的DC-AC转换模块。
2. 电动汽车 (EV) 的车载充电器和电机控制器。
3. 工业级高效电源转换设备。
4. 不间断电源 (UPS) 系统。
5. 高频DC-DC转换器及电力电子设备。
6. 风能发电系统中的功率调节装置。
C3M0016120K, FPC12G100B
