TZA1015T 时间：2025/7/23 2:28:22 阅读：41

TZA1015T 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于中高功率应用，例如电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能。TZA1015T 采用小型表面贴装封装（如SOP Advance），适合空间受限的应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：4A
　　导通电阻(Rds(on))：30mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻(Rds(on))：40mΩ @ Vgs=2.5V
　　功率耗散(Pd)：1.6W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP Advance（5引脚）

特性

TZA1015T MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。在 4.5V 栅极驱动电压下，Rds(on) 仅为 30mΩ，而即使在较低的 2.5V 栅极电压下，其导通电阻也保持在 40mΩ，适用于低电压驱动电路，如由微控制器直接控制的场合。
　　此外，TZA1015T 具备良好的热稳定性和电流承载能力，可有效应对高负载条件下的工作需求。其采用的沟槽式结构优化了电流传导路径，从而减少了开关损耗，提高了器件的响应速度，适用于高频开关应用。
　　该器件还具有出色的耐用性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定运行。其SOP Advance封装设计不仅体积小巧，便于在PCB上布局，而且具备良好的散热性能，有助于提高整体系统的热管理能力。
　　值得一提的是，TZA1015T 支持无铅封装，符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适用于绿色电子产品的设计。

应用

TZA1015T 适用于多种中高功率电子系统，如电源管理系统中的负载开关、DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器以及电池管理系统。在便携式设备中，它可用于高效能电源管理模块，如移动电源、无线充电器和电池供电设备中的功率开关。
　　在工业控制领域，TZA1015T 可用于电机驱动电路、继电器替代方案（固态开关）、LED 驱动器和工业自动化设备中的电源管理模块。
　　由于其支持低电压驱动，该 MOSFET 也常用于由微控制器或数字信号处理器（DSP）直接控制的开关电路，如智能电表、传感器模块和嵌入式控制系统。
　　另外，TZA1015T 还可用于汽车电子系统，例如车载充电器、电动工具、车载信息娱乐系统（IVI）和车身控制模块（BCM）等应用中。