TZ600N16KOF 时间：2025/7/10 2:39:11 阅读：9

TZ600N16KOF是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频、高效能的功率转换应用。该器件采用增强型设计，支持逻辑电平驱动，从而简化了与PWM控制器的集成。其封装形式为TO-252，能够提供出色的散热性能和电气特性。
　　由于氮化镓材料的独特性质，这款晶体管具备较低的导通电阻和极短的开关时间，非常适合用于DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动以及通信设备中的射频功率放大器等场景。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：16A
　　导通电阻：80mΩ
　　栅极阈值电压：1.5V~3.5V
　　工作结温范围：-55℃~175℃
　　封装形式：TO-252

特性

这款GaN晶体管具有以下显著特点：
　　1. 高击穿电压：600V的工作电压使其能够胜任高压应用场景。
　　2. 超低导通电阻：仅为80mΩ，降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　3. 快速开关能力：纳秒级开关速度使得它非常适合高频开关应用，同时减少了开关损耗。
　　4. 增强型设计：默认状态下关闭，仅在正向栅极电压作用下开启，保证了使用的安全性。
　　5. 简化的驱动需求：支持逻辑电平驱动，无需额外的栅极驱动电路。
　　6. 高热稳定性：能够在高达175℃的结温下稳定运行，适应各种恶劣环境。

应用

TZ600N16KOF广泛应用于以下领域：
　　1. 工业电源：如服务器电源、电信基站电源等。
　　2. 消费类电子：例如笔记本电脑适配器、USB-PD快充等。
　　3. 新能源汽车：车载充电器（OBC）、DC-DC变换器。
　　4. 无线充电：高效的功率传输和高频操作能力使其成为无线充电器的理想选择。
　　5. 射频功率放大器：可用于雷达、卫星通信和其他高频信号处理设备。