时间：2025/5/10 10:22:42
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TYC0FH121638RA 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的功率半导体芯片，属于沟槽型 MOSFET 系列。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子设备中。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-220，能够承受较高的电压和电流负载，同时具备快速开关性能，非常适合需要高效能和高可靠性的应用场合。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：16A
导通电阻：38mΩ
栅极电荷：75nC
开关时间：ton=45ns, toff=95ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
TYC0FH121638RA 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高额定电压 (1200V)，适合高压应用环境。
3. 快速开关速度，有效降低开关损耗。
4. 小巧紧凑的 TO-220 封装设计，便于安装和散热。
5. 出色的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
该芯片适用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动与控制。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的牵引逆变器。
5. 不间断电源 (UPS) 和其他高功率电子设备。
IRG4PC30KD, FCH07N120B
