时间：2025/9/3 14:35:16
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TY20N50E是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性，适用于各类高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等应用场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：500V
最大漏极电流(ID)：20A（连续）
最大栅源电压(VGS)：±30V
导通电阻(RDS(on))：典型值0.22Ω（在VGS=10V时）
最大功耗(PD)：125W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220、TO-3P等
TY20N50E具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其导通电阻较低，能够在高电流工作条件下降低功率损耗，提高整体效率。其次，该器件具有良好的热稳定性，能够在高负载和高温环境下稳定工作。此外，TY20N50E具备较高的雪崩能量承受能力，提高了器件在异常工况下的可靠性。
在开关特性方面，TY20N50E具有快速的开关响应时间，能够实现高频操作，适用于高效率的开关电源设计。其栅极电荷量(Qg)较低，有助于减少驱动电路的功耗。同时，该MOSFET具备较强的短路耐受能力，有助于提升系统的安全性和稳定性。
从封装角度来看，TY20N50E通常采用TO-220或TO-3P等标准封装形式，便于散热和安装，适用于多种电路设计需求。
TY20N50E广泛应用于各种功率电子设备中，如AC-DC开关电源、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制电路、电池管理系统、工业自动化设备以及家用电器中的电源模块。由于其高耐压和大电流能力，也常用于逆变器、不间断电源（UPS）和光伏逆变系统等高可靠性应用场景。
20N50、IRF20N50、ST20N50、FQA20N50
