TX32258M4LBDE2T是一款高性能的存储芯片,属于DDR4 SDRAM系列。该芯片具有高带宽、低功耗的特点,适用于对数据处理速度要求较高的应用场景。它支持多通道数据传输,并具备强大的纠错功能,能够有效提升系统的稳定性和可靠性。
该芯片主要应用于服务器、工作站、高性能计算设备以及需要大容量高速存储的场景中。
类型:DDR4 SDRAM
容量:32GB
位宽:x72
工作电压:1.2V
频率:2666MT/s
封装形式:LRDIMM
引脚数:288
温度范围:0°C至85°C
工作温度:商用级
TX32258M4LBDE2T采用了先进的制程工艺,降低了功耗并提高了性能。
1. 高速传输:支持高达2666MT/s的数据传输速率,满足高性能计算的需求。
2. 低功耗设计:采用1.2V的工作电压,在保证性能的同时显著降低能耗。
3. 纠错功能:内置ECC(Error Correction Code)功能,可以检测和纠正单比特错误,从而提高数据的完整性和系统稳定性。
4. 多通道支持:支持多通道并发操作,进一步提升了数据吞吐能力。
5. 商用级温度范围:适用于大多数室内环境下的应用,确保在正常工作温度范围内稳定运行。
TX32258M4LBDE2T广泛应用于以下领域:
1. 数据中心和云计算平台:提供高效的内存支持,满足大数据分析和云服务需求。
2. 企业级服务器:为虚拟化、数据库和其他关键任务提供快速可靠的数据访问能力。
3. 工作站:支持复杂的图形处理、科学计算和工程模拟等任务。
4. 高性能计算(HPC):用于天气预报、基因组研究等需要大量数据处理的应用场景。
TX32258M4LBDE1T, TX32258M4LBDE3T