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TVS042CG5R5CC-W 发布时间 时间:2025/12/27 11:02:45 查看 阅读:29

TVS042CG5R5CC-W是一款由格芯(GlobalFoundries)基于其45RFSOI工艺平台设计的高集成度射频前端开关芯片,广泛应用于现代无线通信系统中,尤其是在支持多频段、多模式操作的移动设备上。该器件采用先进的绝缘体上硅(SOI)技术制造,具备低插入损耗、高隔离度、优良的线性性能和出色的功率处理能力,适用于高频信号路径中的切换与路由控制。TVS042CG5R5CC-W特别针对Wi-Fi 6E、5G NR以及其它高性能无线连接应用进行了优化,在2.4 GHz、5 GHz乃至6 GHz频段内均能保持稳定可靠的性能表现。该芯片集成了静电放电(ESD)保护结构,增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性,并支持高集成度模块化设计,有助于缩小终端产品的PCB面积并提升整体系统可靠性。其封装形式为紧凑型晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP),便于在空间受限的便携式电子产品中实现高密度布局。此外,TVS042CG5R5CC-W工作电压范围宽,兼容低压逻辑控制信号,可直接与基带处理器或PMU接口对接,无需额外电平转换电路,从而简化了系统设计复杂度。作为一款面向高端消费类通信设备的关键射频组件,TVS042CG5R5CC-W在智能手机、平板电脑、物联网网关及企业级无线接入点等领域具有重要应用价值。

参数

型号:TVS042CG5R5CC-W
  工艺平台:GF 45RFSOI
  封装类型:WLCSP
  工作频率范围:DC至6.0 GHz
  插入损耗(典型值):≤0.4 dB @ 5.8 GHz
  隔离度(典型值):≥30 dB @ 5.8 GHz
  输入IP3(IIP3):≥50 dBm(典型值)
  VSWR(输入/输出端口):≤1.5:1
  ESD耐压(HBM):≥2 kV
  控制电压逻辑低电平(VIL):0 V 至 0.4 V
  控制电压逻辑高电平(VIH):1.2 V 至 1.8 V
  电源电压(Vctrl):1.2 V / 1.8 V 可配置
  功耗(静态):≈0 μW(无源运行)
  功率处理能力(PSAT):+34 dBm(连续波)
  温度工作范围:-40°C 至 +105°C
  回流焊兼容性:符合JEDEC J-STD-020 3级标准

特性

TVS042CG5R5CC-W采用GlobalFoundries先进的45 nm RFSOI(Radio Frequency Silicon-on-Insulator)工艺制造,这一工艺技术显著降低了寄生电容和衬底泄漏电流,从而实现了卓越的射频性能。该芯片在高频段下表现出极低的插入损耗和优异的隔离度,确保主信号路径的能量传输效率最大化,同时有效抑制带外干扰信号的串扰。其高线性度特性体现在高达50 dBm以上的输入三阶交调截点(IIP3),使得器件在处理高功率复合调制信号时仍能保持良好的信号完整性,避免产生非线性失真,这对于支持高阶QAM调制的Wi-Fi 6E和5G通信至关重要。
  该器件具备出色的功率处理能力,能够承受+34 dBm的连续波射频功率而不发生性能退化或损坏,适用于天线切换、双工器旁路、发射/接收路径选择等高负载应用场景。内置的增强型ESD保护结构使其在人体模型(HBM)测试下可耐受超过2 kV的静电冲击,提升了生产装配过程中的良率和终端产品在现场使用中的长期可靠性。此外,TVS042CG5R5CC-W支持1.2 V和1.8 V双电压逻辑控制,兼容现代低功耗数字基带平台的GPIO输出电平,无需额外电平转换电路,简化了系统设计并降低了物料成本。
  由于采用了WLCSP(晶圆级芯片尺寸封装)技术,TVS042CG5R5CC-W的物理尺寸极为紧凑,接近裸晶大小,非常适合用于对空间敏感的移动设备中。其封装结构还优化了接地路径和热传导性能,有助于维持高频工作的稳定性并提升散热效率。整个器件无须外部偏置电路即可工作,属于无源控制型开关,静态功耗几乎为零,有利于延长电池供电设备的续航时间。综合来看,TVS042CG5R5CC-W凭借其先进工艺、高性能指标和高集成度设计,成为当前高性能无线通信系统中不可或缺的关键射频元件之一。

应用

TVS042CG5R5CC-W主要应用于需要高性能射频信号切换的现代无线通信系统中,尤其适合于支持Wi-Fi 6E(802.11ax)和5G NR FR1频段的智能终端设备。在智能手机和平板电脑中,它常被用于天线调谐模块或分集天线开关,实现多频段信号的高效路由与阻抗匹配,提升无线连接的吞吐量与覆盖范围。在Wi-Fi路由器、企业级AP和CPE设备中,该芯片可用于多链路并发传输架构中的射频路径选择,支持MU-MIMO和OFDMA技术的稳定运行。
  此外,TVS042CG5R5CC-W也广泛应用于物联网网关、工业无线模块、车载信息娱乐系统以及AR/VR头显设备中的无线连接子系统。在这些场景中,设备往往面临复杂的电磁干扰环境和严格的功耗限制,而该芯片凭借其高隔离度、低插入损耗和低功耗特性,能够保障射频信号的质量与系统的整体能效。其高功率耐受能力也使其适用于FEM(前端模块)内部的发射旁路开关或接收LNA前级保护开关,防止大信号注入导致后续敏感器件损坏。
  在测试与测量仪器领域,TVS042CG5R5CC-W可用于构建自动化的射频信号路由矩阵,实现多通道信号源与被测设备之间的动态连接切换。其稳定的电气性能和宽频带响应特性确保了测试结果的一致性和准确性。随着6 GHz频段在全球范围内的逐步开放,该器件在支持UNII-5至UNII-8频段的新型无线产品中将发挥越来越重要的作用,推动下一代高速无线网络的发展与普及。

替代型号

TQQ3M79033
  RF5122
  SKY5-5027-311

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TVS042CG5R5CC-W参数

  • 现有数量0现货
  • 价格40,000 : ¥0.42781卷带(TR)
  • 系列V
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容5.5 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳01005(0402 公制)
  • 大小 / 尺寸0.016" 长 x 0.008" 宽(0.40mm x 0.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.009"(0.22mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-