类型：功率MOSFET模块
　　最大漏极电流（Id）：300A
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值2.0mΩ
　　封装形式：双列直插式（DIP）或表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　短路耐受能力：有
　　封装材料：高强度绝缘材料
　　热阻（Rth）：根据散热条件变化

TVM2G300M900B 具备多项高性能特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该模块采用先进的Trench MOSFET技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其次，其高电流承载能力和优异的热管理设计，使其能够在高负载条件下稳定运行，延长了模块的使用寿命。此外，TVM2G300M900B 还具备良好的短路耐受能力，能够在极端工况下提供额外的安全保障，防止因瞬时过载或短路造成的损坏。模块的封装设计采用了高绝缘材料和结构，确保在高压应用中具备优异的电气隔离性能，提升整体系统的可靠性。最后，TVM2G300M900B 支持高频开关操作，有助于减小外围滤波元件的体积，提高功率转换效率。
　　在实际应用中，TVM2G300M900B 的热性能表现尤为突出。模块内部的热阻设计优化了热量的传导路径，使得在高电流工作时能够有效降低结温，避免因过热导致的性能下降或损坏。此外，模块的封装尺寸紧凑，便于集成到空间受限的设计中，同时提供良好的散热接口，支持风冷或液冷散热方式。TVM2G300M900B 还具备良好的电磁兼容性（EMC），减少了在高频开关过程中产生的电磁干扰，确保系统运行的稳定性。

TVM2G300M900B 主要用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。在电动汽车和混合动力汽车领域，它常用于电机驱动逆变器和车载充电器（OBC）系统中，提供高效的功率转换和控制能力。在工业应用中，该模块可用于伺服电机驱动、变频器和不间断电源（UPS）系统，满足高可靠性要求。此外，TVM2G300M900B 也广泛应用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和储能系统，帮助实现高效、稳定的能量转换。其高电流能力和优异的热性能使其在各类高功率电源系统中具有广泛的适用性。

TVM2G300M1200B、TVM1G300M900B、TVM2G400M1200B