TVM2G180M521R 是一款基于硅技术设计的瞬态电压抑制器(TVS),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、雷击和其他瞬态过压事件的影响。该器件具有低电容、快速响应时间以及高浪涌能力等特性,非常适合用于高速数据线和射频信号线路的保护。
该型号属于双向 TVS 二极管系列,其封装形式为 DO-214AC (SMC),适合表面贴装工艺。TVM2G180M521R 的工作电压范围能够满足各种通信接口和消费类电子产品的保护需求。
额定反向工作电压:18.8V
最大钳位电压:31.6V
峰值脉冲电流(IPP):37.9A
动态电阻:0.3Ω
结电容:5.2pF
响应时间:1ps
漏电流(IR):1μA(@VRWM)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 快速响应时间,可有效抑制瞬态电压尖峰。
2. 极低的电容值,对高速信号传输影响较小。
3. 高浪涌吸收能力,能承受较大的瞬态电流冲击。
4. 双向结构设计,适用于交流信号线路保护。
5. 小型化封装,易于集成到紧凑型设计中。
6. 工作温度范围广,适应多种环境条件下的应用需求。
7. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料制造。
1. USB 接口保护
2. HDMI 和 DisplayPort 数据线保护
3. 高速网络接口(如以太网)保护
4. 射频模块输入/输出端口保护
5. 消费类电子产品(如手机、平板电脑)的 I/O 端口防护
6. 工业控制设备中的信号线保护
7. 汽车电子系统中的敏感电路保护
TVM2G180M521L, SMAJ18A, PESD18VL