时间：2025/6/5 13:42:59
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TVM2G180M291R是一款基于硅 carbide（碳化硅）技术的高压功率MOSFET。该器件适用于高电压、高频开关应用，具有出色的效率和可靠性。其主要设计目标是用于工业、汽车以及可再生能源领域中的逆变器、DC-DC转换器和电机驱动等应用。
这款MOSFET采用了先进的沟槽式结构，从而显著降低导通电阻，并提高开关性能。此外，它还具备较低的栅极电荷和输出电容，有助于进一步提升系统的整体效率。
最大漏源电压：1800V
连续漏极电流：4A
导通电阻：160mΩ
栅极电荷：35nC
反向恢复时间：无（由于SiC材料特性）
工作温度范围：-55℃至+175℃
TVM2G180M291R利用碳化硅材料的独特优势，使其能够在高电压环境下保持卓越的性能表现。具体特性包括：
1. 高击穿电压能力，能够承受高达1800 低导通电阻，有效减少导通损耗。
3. 快速开关速度，大幅降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性，在高温条件下依然可以稳定运行。
5. 更高的功率密度，允许设计更紧凑的电力电子设备。
6. 没有反向恢复问题，简化了电路设计并提升了系统可靠性。
7. 具备优异的短路耐受能力，增强系统安全性。
TVM2G180M291R非常适合以下应用场景：
1. 工业级电源和伺服驱动器中的高频开关元件。
2. 太阳能逆变器的核心功率转换模块。
3. 电动汽车及混合动力汽车内的牵引逆变器和车载充电机。
4. 不间断电源（UPS）系统中的关键功率开关组件。
5. 高压直流输电（HVDC）系统中的辅助电路部分。
6. 各类大功率DC-DC变换器，如电信基站电源或储能系统。
TVM2G180M282R
TVM2G180M290R
C2M0180120D
CSD19540KCS
