TVA0200N03 时间：2025/12/28 14:09:46 阅读：18

TVA0200N03是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。这款MOSFET具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性，适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。TVA0200N03采用先进的沟槽技术，使其在低电压应用中表现尤为出色。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：20A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大4.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220、TO-263或其他表面贴装封装

特性

TVA0200N03 MOSFET具备多项优异特性，使其在各种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下较低的功率损耗，提高了系统效率。其次，该器件能够承受高达20A的连续漏极电流，适用于高负载应用。此外，TVA0200N03具有优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，并且具备较强的短路保护能力。
　　TVA0200N03采用先进的沟槽技术，优化了导通和开关性能，使其在低电压应用中具备更高的效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持10V至20V之间的栅极驱动，确保了在不同控制电路中的兼容性。其高功率耗散能力（100W）使其适用于高功率密度设计，适用于紧凑型电源模块和高效率电源系统。
　　此外，TVA0200N03具备良好的封装兼容性，可提供TO-220、TO-263等标准封装形式，适用于插件和表面贴装工艺，便于在不同电路板设计中灵活使用。其广泛的工作温度范围（-55°C至175°C）也使其适用于工业级和汽车级应用环境。

应用

TVA0200N03 MOSFET适用于多种高效率电源管理应用，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。由于其低导通电阻和高电流能力，它特别适合用于同步整流、高效率降压/升压变换器以及电源分配系统中的开关元件。在工业自动化设备、汽车电子系统、通信电源和便携式电子设备中，TVA0200N03都能提供稳定可靠的性能。此外，它也常用于功率因数校正（PFC）电路、LED驱动器和逆变器系统中，以提高整体能效和系统稳定性。