类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：50A
　　漏极-源极电压（VDS）：100V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.018Ω
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220

TV50C480JB-G是一款高性能的N沟道MOSFET，具有优异的电气性能和热管理能力。其主要特性之一是低导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的漏极-源极电压（VDS）额定值，可承受高达100V的电压，适用于中高功率的电源管理场合。
　　TV50C480JB-G的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的输入，提高了其在不同电路设计中的适应性。同时，该MOSFET在高温环境下仍能保持稳定工作，其最高工作温度可达175°C，从而提高了系统的可靠性和耐用性。
　　该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够有效降低工作时的温度上升，延长器件寿命。TO-220封装也便于在印刷电路板（PCB）上安装和焊接，适合大批量生产和应用。此外，TV50C480JB-G符合RoHS指令，不含有害物质，满足现代电子产品对环保的要求。
　　由于其高电流承载能力和低损耗特性，TV50C480JB-G适用于多种电力电子应用，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等。该器件的高性能和可靠性使其成为工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的理想选择。

TV50C480JB-G广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。在开关电源（SMPS）中，它可用于主开关器件，实现高效的电能转换。在直流-直流转换器中，该MOSFET可作为高侧或低侧开关，提供高效率和稳定的输出。此外，在电机驱动和负载开关电路中，TV50C480JB-G能够快速响应控制信号，实现精确的功率调节和过载保护。其高电流和高电压特性也使其适用于汽车电子系统中的功率控制模块。

TK50A10D、IRF1405、SiHHK50N100E、FDP50N10