类型: N沟道MOSFET
　　最大漏极电流: 50A
　　最大漏-源电压: 480V
　　导通电阻(RDS(on)): 0.185Ω
　　栅极电压(VGS): ±20V
　　工作温度范围: -55°C 至 150°C
　　封装类型: TO-247
　　功率耗散: 200W

TV50C480J-G 具有多个优良的电气和物理特性。首先，其高耐压特性（最大漏-源电压可达480V）使其适用于高压环境，确保在高电压应用中的稳定性和可靠性。
　　其次，该器件的导通电阻较低（0.185Ω），有助于降低导通损耗，提高系统整体效率。这对于高功率应用尤其重要，因为较低的导通电阻可以减少发热，延长设备寿命。
　　此外，TV50C480J-G 的最大漏极电流为50A，能够在高电流条件下稳定运行，适用于需要大功率输出的应用场景。
　　其封装形式为TO-247，这种封装提供了良好的散热性能，确保在高功率操作时能够有效散热，避免因温度过高而导致的性能下降或损坏。
　　最后，该MOSFET具有较高的栅极电压耐受能力（±20V），使得其在驱动电路设计中具有更大的灵活性，避免因栅极电压波动而引发的误操作。

TV50C480J-G 被广泛应用于多个领域，包括但不限于工业电源、不间断电源（UPS）、逆变器、DC-DC转换器、马达控制、照明系统以及家用电器中的高功率电路。
　　在工业电源和UPS系统中，该MOSFET可用于构建高效的功率转换电路，确保在电网异常情况下仍能提供稳定电源。
　　在逆变器应用中，TV50C480J-G 可用于将直流电转换为交流电，广泛应用于太阳能发电系统和电动车驱动系统。
　　此外，在DC-DC转换器中，该器件可提高转换效率，降低能耗，广泛用于通信设备和计算机电源供应器。
　　其高电流和高电压特性也使其成为马达控制系统的理想选择，例如在工业自动化设备中用于控制电动机的启停和速度调节。
　　在照明系统中，TV50C480J-G 可用于调光电路和LED驱动器，以实现高效的光控管理。

IXFH50N45P2, IRFP4868PBF, FDPF50N480S