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TV50C280JB-G 发布时间 时间:2025/12/28 19:23:35 查看 阅读:15

TV50C280JB-G是一款由Toshiba(东芝)公司生产的电子元器件芯片,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。这款MOSFET专为高效能功率转换应用设计,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于电源管理、DC-DC转换器以及电机控制等场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):280V
  漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):0.042Ω(最大)
  栅极电荷(Qg):140nC
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-247

特性

TV50C280JB-G具有较低的导通电阻,这有助于降低功率损耗并提高系统的整体效率。其高电流承载能力确保了在高负载条件下仍能稳定工作,不会轻易过热或损坏。
  此外,这款MOSFET的栅极电荷较低,意味着它能够在较高的开关频率下运行,从而减少外围电路的复杂性,并有助于减小电源系统的体积。
  该器件还具备良好的热稳定性,能够在宽温度范围内可靠运行,适用于恶劣的工业环境。其TO-247封装形式也便于安装和散热管理,适合高功率应用场景。
  TV50C280JB-G的制造工艺采用了先进的功率MOSFET技术,使其在性能和可靠性方面均表现出色。该器件的快速开关特性也有助于提升电源系统的响应速度和动态性能。

应用

TV50C280JB-G广泛应用于各种高功率电子系统中,例如工业电源、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、电机驱动器以及太阳能逆变器等。
  在电源管理系统中,该MOSFET可用于高效的功率转换和稳压控制,确保系统在高负载条件下仍能保持稳定运行。
  在电机控制应用中,TV50C280JB-G可以作为主开关元件,实现对电机速度和方向的精确控制。
  此外,该器件也适用于需要高可靠性和高效率的消费类电子产品,如高端电源适配器和充电器。

替代型号

TK25V60W5AQ,TTPF8N60M

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TV50C280JB-G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 二极管
  • 系列-
  • 电压 - 反向隔离(标准值)28V
  • 电压 - 击穿31.1V
  • 功率(瓦特)5000W
  • 电极标记双向
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AB,SMC
  • 供应商设备封装DO-214AB,(SMC)
  • 包装带卷 (TR)