时间：2025/12/28 19:41:58
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TV50C280J-G 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等高功率密度设计中。该器件采用 TO-220 封装，具备良好的热性能和高电流承载能力，适用于需要高效能和稳定性的电源管理场合。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：500V
栅源电压 Vgs：±30V
连续漏极电流 Id：8A
功耗 PD：125W
导通电阻 Rds(on)：典型值 0.28Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
TV50C280J-G 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达到 500V，使其适用于高电压应用环境，如 AC-DC 电源转换器和工业电机驱动器。该器件的栅源电压范围为 ±30V，具备较强的抗过压能力，降低了栅极驱动电路设计的复杂度。此外，TV50C280J-G 的连续漏极电流为 8A，能够在中高功率应用中提供稳定的电流输出。
在导通性能方面，TV50C280J-G 的典型导通电阻 Rds(on) 为 0.28Ω，这一参数在同类产品中表现良好，有助于降低导通损耗并提高系统效率。该 MOSFET 的功耗为 125W，具备良好的散热性能，能够在较高工作温度下稳定运行。其 TO-220 封装不仅便于安装和散热管理，还能在工业环境中提供较高的机械稳定性和可靠性。
此外，TV50C280J-G 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适合在极端温度条件下使用，满足工业级和汽车电子应用对环境适应性的要求。该器件在制造过程中采用了成熟的技术工艺，具备较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于对稳定性要求较高的应用场合。
TV50C280J-G 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、负载开关、照明控制和工业自动化设备等领域。在开关电源设计中，该 MOSFET 可作为主开关元件，用于实现高效的能量转换。由于其具备较高的漏源电压和良好的导通性能，TV50C280J-G 也适用于反激式和正激式转换器等拓扑结构。此外，在电机控制应用中，它可用于构建 H 桥电路，实现对直流电机或步进电机的双向控制。在电池管理系统中，该器件可作为高侧或低侧开关，用于控制电池充放电过程。由于其良好的散热性能和机械强度，TV50C280J-G 还适合用于高可靠性要求的工业控制系统和车载电源管理模块。
STP8NM50N, FQP8N50, IRFBC40
