时间：2025/12/28 20:18:30
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TV50C181J-G 是一款由 Vishay Siliconix 制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为需要高效、高可靠性和低导通电阻的应用而设计，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统中。其封装形式为 TO-220AB，便于散热和安装。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：8A
导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω（最大）
功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220AB
TV50C181J-G 的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），可减少导通损耗，提高系统效率；高耐压能力（500V）使其适用于中高功率应用；采用 TO-220AB 封装，具备良好的散热性能和机械稳定性。该 MOSFET 还具有快速开关能力和高可靠性，适合用于高频开关电源设计。此外，其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的驱动电路设计，降低了外围电路的复杂性。器件符合 RoHS 标准，适用于环保要求较高的应用场景。
TV50C181J-G 主要应用于电源管理系统，如 AC-DC 电源适配器、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动电路以及工业自动化控制系统中。由于其具备高耐压和良好的导通性能，也适用于 LED 照明驱动电源和电池充电器等场合。
IRF840, FQP50N06, STP8NK50Z
