时间：2025/12/28 19:57:20
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TV50C151JB-G 是一款由东芝（Toshiba）制造的IGBT（绝缘栅双极型晶体管），广泛应用于需要高电压和高电流开关性能的电力电子设备中。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优势，适用于电机控制、电源转换、变频器和工业自动化系统等应用。
集电极-发射极击穿电压（VCES）：1500V
集电极电流（IC）：50A
栅极-发射极电压（VGES）：±30V
工作温度范围：-55°C至+150°C
短路耐受能力：6μs（典型值）
封装形式：TO-247
功耗（PD）：300W
TV50C151JB-G 具有高电压和高电流处理能力，使其适用于高功率应用。该IGBT器件采用了先进的硅芯片技术，提供低导通压降和快速开关特性，从而提高了系统的整体效率。此外，它具备良好的热稳定性和短路保护能力，能够在高应力条件下可靠运行。
该器件的封装设计符合工业标准，便于安装和散热管理。其高抗干扰能力和稳定的电气性能确保了在严苛工作环境下的长期可靠性。
TV50C151JB-G 的栅极驱动要求较低，便于与常见的驱动电路兼容，减少了设计复杂度并降低了系统成本。
TV50C151JB-G 常用于各种工业和电力电子设备中，包括交流电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、感应加热系统、电焊设备以及可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电变流器）。其高可靠性和高功率处理能力也使其适用于铁路牵引系统和电动汽车充电设备。
SKM50GB120D, IRG4PC50UD, FGA25N120ANTD
