类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：13A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω
　　最大功耗（Pd）：150W
　　栅极电压范围：-20V至+20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

TV50C130JB-G具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET的导通电阻较低，仅为0.35Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。在高电流工作条件下，这一特性尤为关键。
　　其次，TV50C130JB-G的最大漏极电压为500V，支持在高电压环境下稳定运行。其最大连续漏极电流为13A，适用于中高功率等级的电源设计。
　　此外，该器件采用TO-247封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在高温环境下工作。封装结构也便于安装和散热片连接，提高整体系统的热管理能力。
　　TV50C130JB-G还具有快速开关能力，适用于高频开关应用。其栅极驱动电压范围为-20V至+20V，兼容多种驱动电路设计，增强了系统的灵活性和可靠性。
　　该MOSFET在极端温度条件下仍能保持稳定性能，工作温度范围从-55°C至+150°C，适用于工业控制、电源设备以及车载电子等复杂环境下的应用。
　　综上所述，TV50C130JB-G是一款性能稳定、效率高、适应性强的功率MOSFET，广泛适用于各种高要求的电力电子系统。

TV50C130JB-G MOSFET因其高性能和可靠性，广泛应用于多个领域。在工业电源系统中，它常用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块和不间断电源（UPS）系统，提供高效的电能转换。在电机控制和驱动器中，该器件可作为功率开关，用于直流电机、步进电机或伺服电机的调速与控制。
　　此外，TV50C130JB-G也适用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换电路，确保系统在高电压和高电流条件下的稳定运行。在电动汽车和充电桩系统中，该MOSFET可用于电池管理系统（BMS）中的功率控制电路，提升能效和安全性。
　　消费类电子产品如高端电源适配器、LED照明驱动器等也常采用该器件，以实现小型化、高效率的电源设计。在测试设备和测量仪器中，TV50C130JB-G可用于构建可编程负载、功率放大器等模块，提供精确的功率控制。
　　总体而言，TV50C130JB-G适用于各类需要高效、稳定功率控制的电子系统，是工业、能源、汽车和消费电子领域的理想选择。

TK15A50D, IRFBC40, FDPF5N50, STP12NM50ND, 2SK2141