时间：2025/12/28 19:29:20
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TV30C900JB-G 是一款由 Toshiba（东芝）公司生产的功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备高耐压、低导通电阻和高可靠性等特点。TV30C900JB-G 属于N沟道增强型MOSFET，适用于电源转换器、电机控制、逆变器以及工业自动化设备等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：900V
最大漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.18Ω（最大值0.23Ω）
栅极电压（Vgs）：±30V
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
TV30C900JB-G MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术，使其在高电压应用中表现出优异的性能。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高能效。此外，TV30C900JB-G 的最大漏源电压为900V，适用于高压电源转换系统，如开关电源（SMPS）、逆变器和电机驱动器。
该MOSFET具有较高的电流承受能力，最大漏极电流可达30A，适用于中高功率应用。同时，其高达200W的功率耗散能力使其在高负载条件下仍能保持良好的稳定性。TV30C900JB-G 的TO-247封装形式提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高温环境下的可靠性。
此外，该器件的栅极电压范围为±30V，具有较强的抗过压能力，降低了栅极驱动电路的设计难度。TV30C900JB-G 还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外围电路的体积并提高系统效率。由于其优异的电气性能和高可靠性，TV30C900JB-G 被广泛应用于工业自动化、电机控制、UPS系统、电焊设备等领域。
TV30C900JB-G 主要应用于高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、UPS不间断电源、工业自动化控制设备以及电焊机等。其高耐压和低导通电阻特性也使其适用于高压直流输电系统和新能源发电设备中的功率控制模块。
STW34NB90T, IXFH30N90Q, FCP90N30L
