类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：30A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：80V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大25mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220AB

TV30C800JB-G具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。这使得器件在高电流工作条件下仍能保持较低的温升，从而提高整体系统的可靠性。
　　其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式工艺技术，优化了器件的电场分布，提升了开关性能和热稳定性。这种结构设计有助于降低开关损耗，并增强器件在高频开关环境下的稳定性。
　　此外，TV30C800JB-G具有较高的栅极耐压能力（±20V），增强了其在复杂工作环境中的抗干扰能力，降低了因栅极电压波动而导致器件损坏的风险。
　　该器件的TO-220AB封装形式具有良好的散热性能，适合在高功率密度应用中使用。封装结构也便于安装在散热片上，进一步提升散热效率。
　　最后，TV30C800JB-G的工作温度范围广泛（-55°C至150°C），适应了多种恶劣工作环境，确保在极端温度条件下仍能稳定运行。

TV30C800JB-G广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其适用于需要高效能和高可靠性的场景。例如，在工业电源系统中，该器件可作为主开关元件，用于DC-DC转换器、负载开关和功率因数校正（PFC）电路。其低导通电阻和高耐压特性有助于提升电源转换效率并降低发热。
　　在电机驱动器和伺服控制系统中，TV30C800JB-G可用于H桥结构中的高边和低边开关，提供快速响应和稳定的电流控制能力，适用于工业自动化设备和机器人驱动系统。
　　此外，该MOSFET也可用于新能源系统，如太阳能逆变器和储能系统中的功率控制模块。其优异的热性能和高可靠性确保了在高温和高湿度环境下的稳定运行。
　　在汽车电子领域，TV30C800JB-G可用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）和电动工具驱动电路，满足汽车级应用对耐久性和稳定性的严格要求。

SiHF30N80C、IRF3205、FDPF30N80、TK30A80W