类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.041Ω（最大值，@VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：80W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

TV30C141JB-G MOSFET具有多项优异特性，使其适用于高功率和高频率应用。首先，其导通电阻RDS(on)非常低，典型值为0.041Ω，这可以显著降低导通损耗，提高能效。这对于电源转换器和马达控制器等应用非常重要，因为低导通电阻能够减少热量产生，提高整体系统效率。
　　其次，该MOSFET支持高达30A的连续漏极电流，具备较强的电流处理能力，适用于高负载场景。其最大漏-源电压为100V，能够在中高压系统中稳定工作。栅极驱动电压范围为±20V，支持标准逻辑电平驱动，便于与各类控制器配合使用。
　　此外，TV30C141JB-G采用了东芝先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关特性和导通性能。其TO-220封装提供了良好的散热能力，适合在高功率密度应用中使用。同时，该器件具备较高的短路耐受能力，增强了系统在异常工况下的稳定性。
　　该MOSFET还具备快速开关能力，减少了开关损耗，适合用于高频开关电路。其栅极电荷Qg较低，有助于降低驱动损耗，提高系统的动态响应性能。在高温环境下，该器件仍能保持良好的性能，适用于工业自动化、电源供应器、电动车控制器等对可靠性要求较高的场合。

TV30C141JB-G MOSFET广泛应用于多个领域，主要包括：电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器和稳压器；电机驱动器和H桥电路，用于机器人、工业自动化和电动车控制；电池管理系统，如电动工具和储能系统；LED照明驱动电路；工业控制设备中的高功率开关元件；以及各类高效率、高功率密度的电源模块。

SiHF30N100E, FDPF30N100, IRF3205, IPB03N10N5, STP30NF10