工作电压：9V
　　反向击穿电压：10.3V
　　最大钳位电压：15V
　　最大反向漏电流：10μA
　　响应时间：1ps（典型值）
　　峰值脉冲电流（8/20μs）：14.3A
　　最大功率耗散（10×1000μs）：1500W
　　封装类型：SMC（DO-214AB）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

TV15C9V0JB-G 采用高性能硅半导体材料制造，具有出色的瞬态电压抑制能力。其响应时间极短，能够在纳秒级别内对瞬态电压做出反应，从而有效保护下游电路。该TVS器件具备高能量吸收能力，可承受高达1500W的浪涌功率，适用于严苛的电磁环境。此外，其低漏电流设计确保在正常工作条件下对电路的影响最小。SMC封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产，提升了整体制造效率。
　　在电气性能方面，TV15C9V0JB-G 的工作电压为9V，反向击穿电压为10.3V，最大钳位电压为15V，能够在发生瞬态事件时将电压限制在安全范围内。其最大反向漏电流仅为10μA，确保在正常运行时不会造成明显的功耗或干扰。该器件的峰值脉冲电流能力为14.3A（基于8/20μs波形），适用于大多数工业标准测试条件。TV15C9V0JB-G 还符合RoHS环保标准，适合用于无铅生产工艺。

TV15C9V0JB-G 主要用于需要高水平瞬态电压保护的电子设备中。典型应用包括通信设备、工业控制系统、电源模块、接口电路（如USB、HDMI）、传感器模块以及消费类电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）。该器件特别适合用于保护高速数据线路和敏感的模拟/数字输入端口，防止因静电放电或雷击引起的损坏。在电源管理系统中，TV15C9V0JB-G 可用于保护输入电源线免受瞬态电压冲击，确保系统的稳定运行。此外，它也常用于汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统、电池管理系统和车载充电器，以应对车辆电气系统中常见的瞬态现象。

P6KE9.1CA, SMAJ9.0A, 1.5KE9.0CA