类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：7.8mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：140W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-263（D2Pak）

TV06B780JB-G 具有多个显著特性，使其在功率电子应用中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。这在高电流应用如电源转换器和电机驱动器中尤为重要。
　　其次，该MOSFET采用先进的沟槽技术，使得在保持高电流承载能力的同时，仍能实现快速开关性能，适用于高频开关电路。其高栅极电荷（Qg）优化设计，有助于降低开关损耗并提高系统稳定性。
　　此外，TV06B780JB-G 采用 TO-263 封装，具有良好的热性能，能够有效散热，确保在高功率环境下稳定运行。其高雪崩能量耐受能力也使其在恶劣工况下仍具有较高的可靠性。
　　该器件还具备良好的抗短路能力和较高的热稳定性，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。其宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C）也确保其在极端环境下的稳定运行。

TV06B780JB-G 广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理系统中，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关，以提高转换效率并减少热量产生。
　　在电机控制领域，该MOSFET可用于无刷直流电机（BLDC）驱动器和步进电机控制器，提供高效的功率控制和快速响应能力。
　　此外，TV06B780JB-G 还适用于电池管理系统（BMS），用于电动工具、电动车辆和储能系统中的充放电控制。
　　在工业自动化设备中，该器件可作为高边或低边开关，用于控制各种执行器和传感器的电源。
　　由于其高可靠性和优异的热性能，TV06B780JB-G 也常用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电子助力转向系统（EPS）。

SiS178DN, IRF1404, SQM100N06-07, FDP100N06