电容值：8.5 pF
　　容差：±0.5 pF
　　额定电压：25V
　　介质材料：Class I（温度补偿型）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.2mm）
　　电极材料：内电极采用银/钯合金
　　绝缘电阻：≥10,000 MΩ
　　耗散因数（DF）：≤0.15%
　　自谐振频率（SRF）：约1.4 GHz
　　温度系数：±30 ppm/°C

TV02W8V5-HF 陶瓷电容器采用了高稳定性的Class I型介质材料（如C0G或NP0），具有极低的容量随温度变化率，确保了在不同温度条件下电容值的稳定性。其高Q值（Quality Factor）使其在高频应用中表现出色，降低了信号损耗。该器件的自谐振频率高达1.4 GHz，使其在GHz级别的射频电路中依然保持良好的性能。此外，该电容器具有优异的去耦和滤波能力，能够有效抑制高频噪声，提升电路的稳定性与抗干扰能力。由于其低ESR（等效串联电阻）和低ESL（等效串联电感），在高速数字电路和射频前端模块中表现出良好的频率响应和稳定性。
　　该电容器还具有良好的机械强度和热稳定性，能够在较高温度环境下稳定工作。其银/钯合金内电极提供了良好的导电性和可靠性，同时外电极为镍/锡涂层，具有良好的焊接性能。TV02W8V5-HF 的设计符合工业标准，广泛应用于通信设备、无线基站、射频识别（RFID）、医疗电子、航空航天等高端电子系统中。

TV02W8V5-HF 主要用于射频和微波电路中，例如射频放大器、混频器、滤波器、振荡器和天线匹配网络等。它也广泛应用于无线通信设备（如Wi-Fi模块、蓝牙模块、ZigBee模块）、基站射频前端、测试与测量仪器、高频信号发生器以及各种需要高频稳定电容值的模拟和数字电路中。此外，在消费电子、工业控制、汽车电子等领域中对高频性能有较高要求的电路中也有广泛应用。

AVX：08053C855JAT2A
　　KEMET：C0805C855J1GACTU
　　Murata：GRM2195C1H855JA01D