时间：2025/6/27 7:16:04
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TUMD3N是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、负载开关和电机驱动等场景。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合于需要高效率和低功耗的电子电路设计。
TUMD3N采用TO-252封装形式，能够在较低的工作电压下提供较高的电流输出能力，同时具备良好的热性能表现。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：18A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：35nC
开关时间：40ns
工作温度范围：-55℃ to +175℃
TUMD3N具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
2. 快速开关性能，能够适应高频应用环境。
3. 高雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 小型化封装，节省PCB板空间。
5. 符合RoHS标准，绿色环保设计。
TUMD3N适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
4. LED照明驱动电路。
5. 数据通信设备中的DC-DC转换模块。
IRFZ44N, FDP55N06L, STP18NF06L
