产品类型：功率电感器
　　电感值：4.7μH
　　额定电流（Isat）：1.35A
　　额定电流（Irms）：1.05A
　　直流电阻（DCR）：0.26Ω
　　自谐振频率（SRF）：典型值35MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装尺寸：6.0mm x 6.0mm x 4.0mm
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　磁屏蔽类型：全屏蔽
　　温度系数：±30ppm/°C
　　端子材料：铜合金镀锡

TTWB-4-B 功率电感器的核心特性之一是其优异的磁屏蔽性能。该器件采用全屏蔽结构设计，磁芯由高性能铁氧体材料构成，并通过精密绕线工艺将线圈包裹于磁芯内部，形成闭合磁路。这种结构显著减少了外部磁场泄漏，降低了对邻近敏感元件（如传感器、射频模块或模拟信号线路）的电磁干扰，从而提升了整个电子系统的抗干扰能力和稳定性。在高频开关电源应用中，电磁干扰是影响系统性能和认证合规性的关键因素，而TTWB-4-B 的屏蔽设计有效缓解了这一问题，使其成为工业控制、汽车电子和通信设备中的理想选择。
　　另一个重要特性是其高饱和电流与温升电流的平衡设计。TTWB-4-B 在保证4.7μH电感值的同时，提供了高达1.35A的饱和电流（Isat），意味着在电流上升至该值时，电感量下降不超过30%，避免了因磁芯饱和导致的电感失效或电源环路不稳定。同时，其温升电流（Irms）为1.05A，表示在该电流下，电感器自身温升不超过40°C，确保长时间工作下的热可靠性。这种双重电流指标的优化，使得该电感能够在瞬态负载变化频繁的应用场景中（如CPU供电、DC-DC转换器动态响应）保持稳定的电感性能，防止电压跌落或过冲。
　　此外，TTWB-4-B 具备较低的直流电阻（DCR），仅为0.26Ω，这直接减少了I2R导通损耗，提高了电源转换效率，尤其在大电流输出的降压或升压电路中表现突出。低损耗特性不仅有助于节能，还能减少散热需求，简化热管理设计。该器件的工作温度范围宽达-40°C至+125°C，适用于严苛环境下的应用，如车载电子或工业现场设备。其6.0mm x 6.0mm x 4.0mm的小型化封装在提供高功率处理能力的同时，兼顾了空间利用率，适合现代高集成度电子产品的需求。

TTWB-4-B 功率电感器主要应用于各类需要高效、稳定电源转换的电子系统中。其最常见的应用场景是DC-DC转换器，尤其是在降压（Buck）、升压（Boost）和升降压（Buck-Boost）拓扑结构中作为储能和滤波元件。在这些电路中，TTWB-4-B 能够有效平滑开关管产生的脉动电流，稳定输出电压，同时因其低直流电阻和高饱和电流特性，可在高效率要求的电源模块中发挥关键作用。典型应用包括主板上的CPU/GPU核心供电、FPGA和ASIC的多相VRM（电压调节模块）设计，以及各类嵌入式处理器的电源管理单元。
　　在消费类电子产品领域，TTWB-4-B 广泛用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备的电源管理系统中，支持快充协议下的高效能量转换，延长电池续航时间。其小型化封装和良好的热性能使其非常适合空间受限的便携设备。在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，该电感器用于为射频前端、基带处理器和内存供电，保障信号完整性与系统稳定性。
　　此外，TTWB-4-B 也适用于工业自动化控制系统、PLC（可编程逻辑控制器）、传感器供电模块以及LED驱动电源等场合。在汽车电子中，可用于车载信息娱乐系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）模块和车身控制单元的DC-DC电源设计，满足车规级对可靠性和EMI控制的严格要求。由于其符合RoHS标准并支持自动化贴装，该器件也广泛应用于大批量生产的消费电子和工业产品中，具有良好的量产适应性和成本效益。

TWF6060-4R7K-T101
　　XAL6060-4R7M