TTR810F是一款高性能的NPN型小信号晶体管,广泛应用于高频和低噪声放大器电路中。它具有较高的增益带宽积和优良的频率特性,能够满足无线通信、射频模块以及其他高频应用的需求。
该晶体管采用先进的制造工艺,具备高可靠性和稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持良好的性能表现。
集电极-发射极电压:40V
集电极最大电流:200mA
功率耗散:360mW
直流电流增益:100~600
过渡频率:1500MHz
工作温度范围:-55℃~150℃
1. 高增益带宽积,适合高频应用环境。
2. 良好的噪声特性,可降低系统中的干扰信号影响。
3. 小尺寸封装设计,便于集成到紧凑型电路板中。
4. 在极端温度条件下仍能保持稳定的电气性能。
5. 可靠性高,使用寿命长,适用于多种工业及消费类电子设备。
TTR810F主要应用于以下领域:
1. 射频和无线通信设备中的低噪声放大器。
2. 音频前置放大器和其他小型信号处理电路。
3. 振荡器和混频器等高频功能模块。
4. 自动化控制系统的检测与驱动电路。
5. 各种便携式电子产品的信号调理部分。
TTR810G, TTR810H, MMBT810F