时间：2025/12/25 12:22:09
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TT8M2TR是一款由Toshiba（东芝）公司生产的表面贴装型肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），广泛应用于中小功率的整流、续流以及高频开关电路中。该器件采用先进的平面结构和玻璃钝化技术，确保了其在高温、高湿等恶劣环境下的稳定性和可靠性。TT8M2TR封装于小型SOD-123FL超薄封装中，具有极低的正向导通压降和快速的反向恢复时间，非常适合用于便携式电子设备、电源管理模块、DC-DC转换器以及其他对空间和效率要求较高的应用场合。其额定平均正向整流电流为800mA，最大重复峰值反向电压为80V，能够有效满足多种低压直流系统的保护与整流需求。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅（Pb），支持无铅焊接工艺，在现代绿色电子产品设计中具备良好的兼容性。
类型：肖特基势垒二极管
极性：单二极管
封装/外壳：SOD-123FL
安装方式：表面贴装
最大重复峰值反向电压（VRRM）：80V
最大直流阻断电压（VR）：80V
最大均方根电压（VRMS）：56.6V
最大平均正向整流电流（IF(AV)）：800mA
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30A
最大正向电压（VF）@ 800mA, TJ=25°C：0.64V
最大反向漏电流（IR）@ 80V, TJ=25°C：0.1μA
典型结电容（Cj）@ 4V：35pF
热阻（RθJA）：300℃/W
工作结温范围（TJ）：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围（TSTG）：-55℃ ~ +150℃
TT8M2TR具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是采用了高性能的肖特基势垒结构，使得正向导通压降显著低于传统PN结二极管。在800mA的工作电流下，典型正向压降仅为0.64V，这大大降低了导通损耗，提升了系统整体能效，特别适用于电池供电或能量敏感的应用场景。
该器件具有非常快的反向恢复特性，由于肖特基二极管属于多数载流子导电器件，几乎不存在少数载流子储存效应，因此其反向恢复时间极短，可有效抑制高频开关过程中产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高电源系统的稳定性和安全性。
TT8M2TR采用SOD-123FL封装，外形尺寸紧凑（约2.7mm × 1.6mm × 1.1mm），适合高密度PCB布局，尤其适用于智能手机、平板电脑、穿戴设备等空间受限的产品设计。该封装还具有良好的散热性能和机械强度，能够在回流焊工艺中保持高度一致性。
器件通过AEC-Q101车规级可靠性测试的部分项目，并具备出色的抗湿性和长期工作稳定性，可在-55℃至+150℃的宽温度范围内可靠运行，适用于工业控制、汽车电子外围电路及消费类电源模块等多种严苛环境。
此外，TT8M2TR符合国际环保标准，无卤素（Halogen-free）、无铅（Pb-free），支持自动贴片生产流程，具备优良的可制造性与供应链兼容性，是现代高效、小型化电源设计中的理想选择。
TT8M2TR常用于各类低压直流电源系统中，作为整流二极管、续流二极管或防反接保护元件。典型应用包括便携式电子设备的充电管理电路、DC-DC升压或降压转换器中的输出整流环节、同步整流辅助电路、LED驱动电源、适配器次级侧整流、太阳能板旁路保护以及各类电池管理系统（BMS）中的电流隔离单元。
在移动设备如手机、蓝牙耳机、智能手表中，该器件可用于防止电池反向放电或实现多电源路径管理；在电源适配器和AC-DC电源模块中，它可作为高频整流元件，提升转换效率并减少发热；在工业传感器、IoT节点和无线模块中，其低功耗特性有助于延长待机时间。
此外，TT8M2TR也广泛应用于汽车电子系统，例如车载信息娱乐设备、车身控制模块、LED照明驱动等非主驱电路中，提供高效的电压箝位和瞬态保护功能。由于其快速响应能力和高可靠性，也可用于信号整形、钳位电路和高频脉冲整流等模拟前端设计。
RB851S-40
RB054L-40
SS14
SBM280ALT1G
BAT54C
