TT8J21TR是一款NPN型双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),主要应用于小信号放大和开关电路中。该器件具有较高的增益和良好的频率特性,适用于各种消费类电子设备、通信设备以及工业控制领域。
集电极-发射极电压(VCEO):30V
集电极电流(IC):200mA
直流电流增益(hFE):100~300
功率耗散(Ptot):625mW
过渡频率(fT):300MHz
存储温度范围:-55℃~150℃
工作结温范围:-55℃~150℃
TT8J21TR采用SOT-23封装形式,体积小巧,便于表面贴装。其高增益特性使其在低噪声放大应用中表现出色。同时,该晶体管的频率响应较宽,适合高频信号处理场景。此外,TT8J21TR具有较低的饱和电压,能够在开关模式下实现高效的导通性能。
由于其优良的热稳定性和电气性能,TT8J21TR能够满足多种环境下的应用需求,特别是在需要高可靠性的场合。
TT8J21TR广泛用于音频信号放大器、射频前端模块、传感器接口电路、电源管理电路以及各类模拟和数字电路中的开关功能实现。它还常见于便携式电子设备如手机、平板电脑以及物联网设备中。
BC847B
MPS2222A
2N3904