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TT8J21TR 发布时间 时间:2025/7/10 2:38:47 查看 阅读:11

TT8J21TR是一款NPN型双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),主要应用于小信号放大和开关电路中。该器件具有较高的增益和良好的频率特性,适用于各种消费类电子设备、通信设备以及工业控制领域。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):30V
  集电极电流(IC):200mA
  直流电流增益(hFE):100~300
  功率耗散(Ptot):625mW
  过渡频率(fT):300MHz
  存储温度范围:-55℃~150℃
  工作结温范围:-55℃~150℃

特性

TT8J21TR采用SOT-23封装形式,体积小巧,便于表面贴装。其高增益特性使其在低噪声放大应用中表现出色。同时,该晶体管的频率响应较宽,适合高频信号处理场景。此外,TT8J21TR具有较低的饱和电压,能够在开关模式下实现高效的导通性能。
  由于其优良的热稳定性和电气性能,TT8J21TR能够满足多种环境下的应用需求,特别是在需要高可靠性的场合。

应用

TT8J21TR广泛用于音频信号放大器、射频前端模块、传感器接口电路、电源管理电路以及各类模拟和数字电路中的开关功能实现。它还常见于便携式电子设备如手机、平板电脑以及物联网设备中。

替代型号

BC847B
  MPS2222A
  2N3904

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TT8J21TR参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C68 毫欧 @ 2.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1270pF @ 10V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TSST
  • 供应商设备封装TSST8
  • 包装带卷 (TR)