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TT570N12KOF 发布时间 时间:2025/8/23 18:19:20 查看 阅读:5

TT570N12KOF 是一款由 STMicroelectronics 生产的高功率 IGBT(绝缘栅双极型晶体管),主要用于高电压和高电流的应用。这款 IGBT 具有出色的热性能和电性能,适用于工业电机控制、电动汽车、电源转换系统以及其他需要高效能功率开关的场合。TT570N12KOF 的设计使其能够在高电压和大电流环境下稳定运行,同时具备较低的导通压降和快速的开关特性。

参数

类型:IGBT
  集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):570A
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:模块
  导通压降(VCEsat):约2.1V(典型值)
  最大耗散功率:约350W
  栅极阈值电压(VGE(th)):5.5V至6.5V
  短路耐受能力:有
  封装尺寸:根据模块具体型号而定

特性

TT570N12KOF 是一款专为高功率应用设计的 IGBT 模块,具有以下显著特性:
  首先,其额定电压为 1200V,能够承受较高的电压应力,适用于各种高压系统。额定集电极电流高达 570A,这使得该器件非常适合用于需要大电流驱动的场合,例如电动机驱动、逆变器和电能转换系统。
  其次,TT570N12KOF 采用了先进的沟槽栅和场截止技术,从而降低了导通压降并提高了开关速度。这种设计不仅提高了整体效率,还减少了热损耗,从而延长了器件的使用寿命。
  该 IGBT 模块还具备良好的热性能,能够在恶劣的温度环境下运行。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适合工业级应用需求。此外,模块内部集成了热保护功能,能够在过热条件下自动切断电流,从而保护器件免受损坏。
  TT570N12KOF 还具有较强的短路耐受能力,能够在短时间内承受较高的电流冲击而不会失效。这种特性使其在电机驱动和逆变器等应用中表现出色,即使在突发短路情况下也能保持系统的稳定性。
  此外,该模块采用标准化封装设计,便于集成到现有的功率电子系统中。其高可靠性和稳定性使其成为工业自动化、轨道交通、可再生能源系统等领域的理想选择。

应用

TT570N12KOF 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。例如,在工业电机控制领域,该 IGBT 可用于变频器和伺服驱动器,以实现高效的电机控制;在电动汽车中,它可用于主逆变器,将电池的直流电转换为交流电以驱动电机;在太阳能逆变器中,TT570N12KOF 可用于将光伏板产生的直流电转换为交流电并馈入电网。
  此外,该器件也广泛用于电焊机、UPS(不间断电源)、感应加热系统等功率变换设备中。其优异的导通和开关特性,使得系统设计更加紧凑,同时提高了整体能效。

替代型号

TT600N12KOF, FF570N12K3, FZ570N12K3

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TT570N12KOF参数

  • 制造商Infineon
  • 产品种类分立半导体模块
  • 类型Rectifier Diode Module
  • 输出电流900 A
  • 反向电压1200 V
  • 工厂包装数量50