TT500N08KOF 时间：2025/8/23 17:22:47 阅读：5

TT500N08KOF 是由东芝（Toshiba）生产的一款高功率N沟道MOSFET，适用于高电流、高效率的电源转换应用。该器件采用先进的沟槽式技术，提供低导通电阻、高耐压能力，以及良好的热性能。TT500N08KOF 主要面向工业电源、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统以及电动工具等应用场景。该MOSFET具有较高的可靠性，并且在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：80V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：500A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.25mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：300W（最大值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　栅极电荷（Qg）：230nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：11000pF（典型值）

特性

TT500N08KOF 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）能够有效降低导通损耗，提高系统效率。这使得该器件在高电流应用中表现尤为出色。其次，该MOSFET采用了先进的封装技术（TO-263），不仅提供了良好的热管理能力，还增强了在高功率负载下的稳定性。
　　此外，TT500N08KOF 的高耐压能力（80V）确保了其在各种电源拓扑结构中的可靠性，例如同步整流器、半桥和全桥电路等。该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为10V至20V），使得其能够兼容多种驱动电路设计。
　　在动态性能方面，TT500N08KOF 具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于减少开关损耗并提高响应速度，从而实现更高的工作频率。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供额外的保护。
　　从应用角度来看，TT500N08KOF 的高可靠性和热稳定性使其成为工业电源、电动工具、储能系统、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及各种高功率DC-DC转换器的理想选择。

应用

TT500N08KOF 广泛应用于需要高电流、高效率和高可靠性的电子系统中。其主要应用领域包括工业电源、大功率DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电动工具、储能系统、不间断电源（UPS）以及高功率负载开关等。在这些应用中，TT500N08KOF 能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现，尤其适用于需要高频率开关操作和低导通损耗的设计。此外，该MOSFET的高耐压和低Rds(on)特性使其在同步整流、半桥拓扑等电路结构中表现优异。