时间：2025/8/21 14:24:09
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TT4P2-0915P2-2620是一种高性能的射频（RF）功率晶体管，广泛用于射频放大器和通信系统中。该器件采用先进的硅基技术，具有高功率密度、高效率和出色的线性性能，适合在高频应用中使用。TT4P2-0915P2-2620的封装设计优化了散热性能，使其能够在高功率条件下保持稳定的工作状态。
类型：射频功率晶体管
频率范围：2.4GHz至2.5GHz
输出功率：26W（典型值）
增益：18dB（典型值）
效率：45%（典型值）
工作电压：+28V
封装类型：TO-247
热阻：1.2°C/W
工作温度范围：-40°C至+150°C
TT4P2-0915P2-2620是一款专为高功率射频应用设计的晶体管，具有优异的电气性能和稳定性。其高频工作能力使其非常适合用于Wi-Fi、LTE、WiMAX以及其他无线通信系统中的功率放大器设计。该器件的高输出功率和高增益特性，使其能够在较少的级联放大器设计中实现高效的信号放大。此外，TT4P2-0915P2-2620的高效率和低失真特性确保了在高数据速率传输中保持信号的完整性。其线性性能优异，适用于需要高保真度的调制信号应用场景。该器件的封装设计优化了散热能力，确保在高功率运行条件下仍能维持较低的工作温度，从而提高可靠性和使用寿命。TT4P2-0915P2-2620还具备良好的抗负载失配能力和出色的互调失真性能，能够在复杂的工作环境中保持稳定的输出性能。
TT4P2-0915P2-2620广泛应用于无线基站、Wi-Fi接入点、微波通信设备、广播发射器、雷达系统以及工业测试设备中的射频功率放大器模块。其高输出功率和高效率特性也使其成为设计高功率无线局域网（WLAN）设备和远程通信设备的理想选择。此外，该器件还可用于宽带通信系统、频谱分析仪以及射频信号发生器等测试和测量设备中。
MRF6S27045S、NPT2210、CGH40025、GaAs FET HGT1-1025
