TT430N18KOF 时间：2025/8/23 18:25:05 阅读：5

TT430N18KOF是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能碳化硅（SiC）MOSFET晶体管，设计用于高效率、高频开关应用。该器件采用了先进的碳化硅技术，具有较低的导通电阻和开关损耗，适用于电动汽车（EV）、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、工业电源和储能系统等领域。TT430N18KOF的漏源电压（VDS）额定为1800V，漏极电流（ID）可达430A，使其在高压、大功率应用场景中表现出色。

参数

类型：碳化硅MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1800V
　　漏极电流（ID）：430A（Tc=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（典型值）
　　栅极电压范围：-10V至+20V
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-247（单管）
　　短路耐受能力：支持
　　符合标准：RoHS、REACH

特性

TT430N18KOF具备多项先进特性，首先其碳化硅材料具有宽禁带特性，显著提升了器件的耐压能力和热稳定性，允许在更高温度下稳定工作。其次，该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）仅为18mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率。此外，该器件具有优异的开关性能，开关损耗（Eon/Eoff）远低于传统硅基IGBT，支持高频开关操作，从而减小了外围电感和电容的尺寸，提升了系统功率密度。
　　TT430N18KOF还具备良好的短路耐受能力，能够在极端工况下提供可靠的保护，提升了系统的安全性和稳定性。其封装形式为TO-247，适用于工业级高功率模块设计，并具有良好的散热性能。栅极驱动电压范围较宽（-10V至+20V），便于与多种驱动电路兼容。由于采用了先进的封装技术和材料，该器件具备优异的抗湿热、抗腐蚀能力，适合在严苛环境中长期使用。

应用

TT430N18KOF广泛应用于需要高压、高效率和高频率开关的电力电子系统中。其典型应用包括电动汽车的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、逆变器系统；太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块；工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及高功率开关电源（SMPS）等。由于其卓越的导热性能和高温工作能力，特别适合用于高密度功率系统设计，帮助工程师实现更高效、更紧凑的电源解决方案。