时间：2025/6/21 1:40:23
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TT2401MA是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它广泛用于功率转换、电机驱动和开关电源等应用中。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力，适合在高频电路中使用。
TT2401MA的封装形式通常是SOT-23，这种小型封装非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻：1.6Ω
栅极电荷：8nC
工作温度范围：-55℃至+150℃
TT2401MA的主要特性包括低导通电阻以减少功耗，以及出色的热稳定性和可靠性。其SOT-23封装使其成为表面贴装的理想选择，同时具备良好的电气性能。
该器件还具有较高的击穿电压，确保在高压环境下的安全运行。此外，它的快速开关速度降低了开关损耗，非常适合于高效能要求的电路设计。
TT2401MA通常应用于消费类电子设备、工业控制和通信系统中的多种场景。
典型应用包括负载开关、DC-DC转换器、LED驱动器、电池保护电路和信号电平转换等。由于其紧凑的尺寸和高性能，它也常用于便携式电子产品如智能手机和平板电脑的电源管理模块中。
BS170
2N7000
IRLML6401
