时间：2025/8/23 15:48:27
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TT210N08KOF是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高效率，适合用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：80V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：10A（连续）
导通电阻(Rds(on))：0.21Ω @ Vgs = 10V
栅极电荷(Qg)：24nC（典型值）
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
功率耗散(Pd)：47W（最大值）
TT210N08KOF采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在低电压应用中具有优异的性能。该器件的主要优势在于其较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其最大漏源电压为80V，使其适用于中等功率的电源转换和控制电路。
该MOSFET的栅极电荷较低，使得其在高频开关应用中表现出色，减少开关损耗并提升响应速度。此外，其TO-220封装提供了良好的散热性能，能够在较高功率下稳定工作。
TT210N08KOF具备较高的热稳定性和过载能力，适合在恶劣环境中使用。其±20V的栅源电压耐受能力增强了在不同控制电路中的兼容性，并减少了栅极驱动电路的设计复杂度。
该器件还具有良好的短路耐受能力，能够在瞬态负载条件下提供一定的保护作用，提升系统的可靠性。适用于工业控制、电源模块、电池管理系统和电动工具等多种应用场景。
TT210N08KOF常用于各种功率电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器和电源管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效能电源转换和负载开关应用。此外，该器件也广泛应用于工业自动化设备、UPS系统、LED驱动器和消费类电子产品中的功率控制电路。
IPD90N08S2-03, STP80NF08, FDP80N08A, IRF1405
