TT170N14KOF 时间：2025/8/23 18:59:29 阅读：8

TT170N14KOF 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的高性能 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于需要高效能、高可靠性的电源管理和功率转换应用。TT170N14KOF 采用先进的技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力，适用于高功率密度设计。该器件的封装形式为 TO-247，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：140V
　　最大漏极电流（Id）：170A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：4V（最小值）
　　最大栅极电压：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247

特性

TT170N14KOF 的最大漏源电压为 140V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率应用。其最大漏极电流为 170A，具有出色的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作。该器件的导通电阻仅为 5.5mΩ（典型值），可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，TT170N14KOF 的栅极阈值电压为 4V（最小值），适合与常见的 PWM 控制器配合使用，确保器件在正常工作条件下可靠导通。
　　TT170N14KOF 还具有宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适用于高温环境下的应用。该器件的封装形式为 TO-247，具备良好的散热性能，有助于降低器件在高功率工作状态下的温升。同时，TT170N14KOF 还具有较强的短路耐受能力，能够在突发短路情况下提供一定程度的保护，提高系统的可靠性。
　　从电气特性和热设计角度来看，TT170N14KOF 适用于需要高效能、高可靠性的电源管理应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动、工业电源、电池管理系统（BMS）等。其低导通电阻和高电流能力，使其在高频开关应用中表现出色，有助于减小系统的体积和重量。

应用

TT170N14KOF 主要用于高性能功率电子系统中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、工业电源、UPS（不间断电源）、电池管理系统（BMS）以及太阳能逆变器等。由于其高电流承载能力和低导通电阻，TT170N14KOF 特别适合用于需要高效率和高可靠性的场合。在电动汽车和混合动力汽车中，该器件也可用于电池管理系统和车载充电器等关键模块。此外，TT170N14KOF 还广泛应用于高频开关电源、工业自动化设备和大功率 LED 照明驱动电路中。