时间：2025/8/23 16:43:49
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TT121N12KOF 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率电源转换系统。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和出色的热性能，适用于工业电源、DC-DC 转换器、电动工具以及电池供电设备等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A（在Tc=25°C）
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻 RDS(on)：最大 4.7mΩ（在 VGS=10V 时）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
TT121N12KOF 的主要特性包括其低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力和耐压能力使其适用于高功率密度的设计。该器件采用先进的沟槽技术，提供出色的热稳定性和可靠性。此外，其 TO-263 封装形式具备良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和系统集成。
此外，TT121N12KOF 还具有快速开关性能，有助于减少开关损耗，并提高整体系统的响应速度。其栅极电荷（Qg）较低，可减少驱动电路的负担，适用于高频开关应用。该器件还具有较强的雪崩能量耐受能力，可在瞬态条件下提供额外的保护。这些特性共同确保了 TT121N12KOF 在严苛的工作环境下的稳定性和耐用性。
TT121N12KOF 广泛应用于多种高功率电子系统，包括但不限于：工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器、电动工具、电池管理系统（BMS）、DC-DC 转换器以及功率因数校正（PFC）电路。由于其出色的电气性能和散热能力，该 MOSFET 特别适合用于需要高可靠性和高效率的电力电子设备中。
STP120N10F7AG, IPP120N10N3G, IRF1405
