TT104N14KOF是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率MOSFET晶体管,属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高功率应用,具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性,适用于电源转换、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备等场景。TT104N14KOF采用了先进的PowerMESH?封装技术,提供良好的热管理和电气性能。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):140V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):160A @ Tc=25°C
导通电阻(Rds(on)):典型值为3.2mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):300W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-247
TT104N14KOF具备多项优异特性,首先是其极低的导通电阻,有助于降低导通损耗,提高系统效率。其最大漏源电压为140V,适合用于中高功率的电源和电机控制应用。漏极电流额定值高达160A,在高负载条件下依然能够稳定运行。
此外,该器件采用了STMicroelectronics的PowerMESH?技术,优化了晶圆布局,提升了电流承载能力和热稳定性。TT104N14KOF还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性,能够在严苛的工作环境中保持可靠性。
该MOSFET的快速开关特性有助于减少开关损耗,提高响应速度,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。同时,其栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V至15V驱动电压,兼容多种栅极驱动IC和控制器。
TT104N14KOF广泛应用于各种高功率电子系统中。例如,在开关电源(SMPS)中,它可用作主开关器件,提供高效率和低损耗的功率转换。在电机驱动和逆变器系统中,TT104N14KOF可作为功率级开关,实现对电机的精确控制。
此外,该器件也适用于电池管理系统(BMS),如电动工具、电动车和储能系统中的充放电控制电路。由于其高可靠性和耐久性,TT104N14KOF也可用于工业自动化设备中的电源模块、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等关键应用。
值得一提的是,TT104N14KOF还可用于高功率LED驱动器、DC-AC逆变器以及各种功率因数校正(PFC)电路中,满足不同行业的多样化需求。
IPW65R045CFD7, FDP160N15A, STW14NK140Z