时间：2025/8/23 16:42:38
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TT104N08KOF是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和负载开关等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：≤5.4mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
封装形式：TO-247
TT104N08KOF具有多项优良特性，包括低导通电阻（RDS(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力（ID可达100A）使其适用于大功率应用，如工业电源和电动工具驱动电路。该MOSFET采用先进的沟槽式结构技术，提升了器件的开关性能和热稳定性。此外，其宽广的工作温度范围（-55℃至175℃）确保了在极端环境下的可靠运行。TO-247封装设计有助于提高散热性能，便于安装在散热器上，从而提高整体系统的热管理能力。栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，增强了其在不同应用中的灵活性。
该器件还具有较低的开关损耗，适合高频开关应用，例如开关电源（SMPS）、电机控制以及电池管理系统。其坚固的结构设计和优异的雪崩能量耐受能力也提高了器件在恶劣工况下的耐用性。
TT104N08KOF广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电动工具、电机驱动、电池管理系统（BMS）、负载开关以及工业自动化设备。由于其高效率和高电流处理能力，该MOSFET也常用于电动汽车（EV）充电系统、储能系统和不间断电源（UPS）等高功率场合。
TK104N08K3S1, TK104N08K3S1F, IRFP4468PBF
