时间：2025/6/22 13:58:21
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TSUMV53RWUT-Z1 是一款由东芝（Toshiba）推出的高压功率MOSFET，主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用了先进的U-MOS IX系列技术，能够提供较低的导通电阻和出色的开关性能，从而有效提高系统的效率和可靠性。
这款芯片设计为N沟道增强型场效应晶体管，其高耐压特性和低损耗特性使其非常适合用于要求高性能和高可靠性的工业应用环境。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：5.4A
导通电阻：2.2Ω
栅极电荷：48nC
输入电容：2790pF
总开关能量：2.8mJ
工作结温范围：-55℃至175℃
TSUMV53RWUT-Z1 提供了以下关键特性：
- 高耐压能力：支持高达650V的最大漏源电压，适用于多种高压应用场景。
- 低导通电阻：仅2.2Ω的典型导通电阻可显著降低传导损耗，提高整体效率。
- 快速开关性能：优化的栅极电荷和开关能量使其在高频开关条件下表现优异。
- 高可靠性：通过严格的工艺控制和测试流程确保器件能够在恶劣环境下长期稳定运行。
- 小封装尺寸：采用DPAK（TO-263）封装，有助于减少PCB空间占用。
该器件广泛应用于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 电机驱动电路
- UPS系统
- 工业自动化设备
- 汽车电子中的辅助电源模块
由于其高效率和高可靠性，TSUMV53RWUT-Z1 成为了许多需要高性能功率管理方案的理想选择。
TSUP14H65A, IRFZ44N, FQP50N06L
