TSUMO88GDI-LF-1 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于需要高效功率转换和开关操作的场景。它采用了先进的制造工艺,确保了低导通电阻和快速开关速度,适用于工业、汽车及消费类电子设备中的电源管理模块。
该型号支持表面贴装技术(SMD),适合高密度组装环境,同时具有出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压:80V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:40A
导通电阻:5mΩ
总栅极电荷:35nC
开关频率:高达500kHz
工作温度范围:-55℃至150℃
TSUMO88GDI-LF-1 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关速度,使得其非常适合高频应用场合。
3. 强大的电流承载能力,确保在高负载情况下依然保持稳定运行。
4. 高耐压性能,可承受较大的电压波动而不损坏。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
6. 支持表面贴装封装,简化了 PCB 设计与生产流程。
TSUMO88GDI-LF-1 广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS)设计中作为主开关元件。
2. DC-DC 转换器的核心组件,用于提升转换效率。
3. 汽车电子系统中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
5. 大功率 LED 照明驱动电路中的关键器件。
6. 电池管理系统(BMS)中的保护和均衡电路。
TSM75GDI-LF-1, IRF840, FQP18N06