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TSUMO88GDI-LF-1 发布时间 时间:2025/4/29 17:34:45 查看 阅读:4

TSUMO88GDI-LF-1 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于需要高效功率转换和开关操作的场景。它采用了先进的制造工艺,确保了低导通电阻和快速开关速度,适用于工业、汽车及消费类电子设备中的电源管理模块。
  该型号支持表面贴装技术(SMD),适合高密度组装环境,同时具有出色的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:80V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:5mΩ
  总栅极电荷:35nC
  开关频率:高达500kHz
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

TSUMO88GDI-LF-1 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,使得其非常适合高频应用场合。
  3. 强大的电流承载能力,确保在高负载情况下依然保持稳定运行。
  4. 高耐压性能,可承受较大的电压波动而不损坏。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
  6. 支持表面贴装封装,简化了 PCB 设计与生产流程。

应用

TSUMO88GDI-LF-1 广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)设计中作为主开关元件。
  2. DC-DC 转换器的核心组件,用于提升转换效率。
  3. 汽车电子系统中的电机驱动电路。
  4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  5. 大功率 LED 照明驱动电路中的关键器件。
  6. 电池管理系统(BMS)中的保护和均衡电路。

替代型号

TSM75GDI-LF-1, IRF840, FQP18N06

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