型号：TSU5N60S
　　制造商：STMicroelectronics
　　产品类型：MOSFET
　　技术类别：超级结MOSFET
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：600 V
　　连续漏极电流ID @ 25°C：5 A
　　脉冲漏极电流IDM：20 A
　　栅源电压VGS：±30 V
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10 V：1.2 Ω
　　导通电阻RDS(on) typ @ VGS = 10 V：1.05 Ω
　　栅极电荷Qg typ @ 10 V：38 nC
　　输入电容Ciss typ：670 pF
　　输出电容Coss typ：45 pF
　　反向恢复时间trr typ：47 ns
　　开启延迟时间td(on) typ：13 ns
　　关闭延迟时间td(off) typ：39 ns
　　耗散功率PD max：43 W
　　工作结温范围TJ：-55 至 +150 °C
　　存储温度范围Tstg：-55 至 +150 °C
　　封装类型：TO-220

TSU5N60S具备卓越的静态与动态电气特性，其核心优势在于低导通电阻与高电压耐受能力的结合，这使得它在600V级应用中表现出色。该器件的RDS(on)典型值仅为1.05Ω，在满载工作条件下可显著降低导通损耗，从而提升整体电源系统的能效水平。同时，得益于超级结结构的设计，TSU5N60S在维持低RDS(on)的同时实现了较小的芯片面积，进而降低了寄生电容，提升了开关速度。其输入电容Ciss仅为670pF左右，配合38nC的栅极电荷（Qg），意味着驱动电路所需提供的能量较少，有利于简化栅极驱动设计并减少驱动功耗。
　　另一个关键特性是其出色的开关性能。TSU5N60S具有较短的开启延迟时间（13ns）和关闭延迟时间（39ns），配合47ns的体二极管反向恢复时间（trr），能够支持高频开关操作，适用于工作频率高达数百kHz的开关电源拓扑结构，如反激式（Flyback）、LLC谐振变换器等。快速的开关响应减少了交叉导通期间的能量损耗，进一步增强了系统的热管理能力。
　　该器件还具备良好的热稳定性和可靠性。其最大功耗可达43W，并可在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，适应宽泛的工业与消费类应用场景。内置的体二极管具有一定的电流承载能力，可在续流阶段发挥作用，尤其在非连续导通模式下提供必要的电流路径。此外，TSU5N60S通过了严格的工业级认证，符合RoHS环保标准，且具备高抗雪崩能力，能在瞬态过压事件中保持稳健，防止器件因电压尖峰而损坏。这些综合特性使其成为现代高效、小型化电源设计中的优选功率开关器件。

TSU5N60S主要应用于各类中低功率的高压开关电源系统中。典型用途包括离线式AC-DC电源适配器，例如笔记本电脑、打印机和其他消费类电子设备所使用的外置电源，这类应用要求高效率、小体积和高可靠性，而TSU5N60S的低导通损耗和快速开关特性正好满足这些需求。此外，它也被广泛用于LED照明驱动电源，特别是在隔离式恒流驱动电路中作为主开关管使用，能够有效提高灯具的整体能效并延长使用寿命。
　　在工业控制领域，TSU5N60S可用于小型PLC电源模块、传感器供电单元及仪表电源中，提供稳定的直流电压输出。其高耐压特性使其可以直接连接整流后的市电母线电压（约300–400V DC），无需额外的降压预调节电路，从而简化系统架构。另外，该器件也适用于待机电源（Standby Power Supply）设计，在主电源关闭时仍能维持微控制器、通信接口等关键部件的供电，确保系统具备快速唤醒能力。
　　其他潜在应用还包括充电设备（如手机快充、电动工具充电器）、智能电表电源模块、家用电器内部辅助电源（Auxiliary Rail）以及小型逆变电源等。由于其TO-220封装便于手工焊接和维护，也适合中小批量生产和维修替换使用。总之，凡是在600V电压等级下需要高性能、高可靠性和高效率MOSFET的场合，TSU5N60S都是一个极具竞争力的选择。

STP5NK60ZFP, STP5NK60Z, FQP5N60C, IRFBC40