时间:2025/12/28 12:15:27
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TSS-183A+ 是一款广泛应用于射频(RF)和微波电路中的表面贴装瞬态抑制二极管阵列(TVS Array),主要用于保护敏感的射频前端元件免受静电放电(ESD)、电气过应力(EOS)和其他瞬态电压事件的损害。该器件由台湾半导体公司(Taiwan Semiconductor)设计制造,专为高频信号线路提供低电容、快速响应的保护解决方案。TSS-183A+ 采用小型化封装,适用于高密度PCB布局,并在保持信号完整性的同时提供卓越的瞬态抑制能力。其典型应用包括无线通信设备、移动终端、Wi-Fi模块、蓝牙模块、GPS天线接口以及各类需要ESD防护的高速数据线路。由于其优异的高频性能和可靠性,TSS-183A+ 成为现代便携式电子产品中不可或缺的保护元件之一。
器件类型:瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array)
通道数:1通道
工作电压(VRWM):18V
击穿电压(VBR):20V(最小值)
钳位电压(VC):30V(最大值,IPP = 1A)
峰值脉冲电流(IPP):1A(8/20μs波形)
电容值(Cj):0.4pF(典型值,1MHz,0V偏压)
ESD耐受能力:±30kV(IEC 61000-4-2, 接触放电)
反向漏电流(IR):1μA(最大值,VRWM下)
封装形式:SOD-523(SC-79)
安装类型:表面贴装(SMT)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
极性:双向
TSS-183A+ 具备出色的高频信号保护能力,其核心优势在于极低的结电容(典型值仅为0.4pF),这使得它非常适合用于高达数GHz频率的射频信号路径中,不会对信号完整性造成显著影响。在高速数据传输线路如UWB、Wi-Fi 6E、5G毫米波前端等应用场景中,传统TVS器件往往因较高的寄生电容导致信号衰减或失真,而TSS-183A+ 凭借其超低电容特性有效避免了这一问题,确保系统在高频下的稳定运行。
该器件采用双向极性设计,能够同时应对正负方向的瞬态电压冲击,适用于交流或双向信号线路的保护。其快速响应时间小于1纳秒,可在ESD事件发生的瞬间迅速导通并将瞬态能量泄放到地,从而有效防止后级IC(如LNA、PA、开关或收发器芯片)因过压而损坏。此外,TSS-183A+ 符合国际主流ESD标准,包括IEC 61000-4-2 Level 4(±30kV接触放电)和IEC 61000-4-4,具备极高的抗扰度能力,适用于严苛电磁环境下的电子设备。
在材料与工艺方面,TSS-183A+ 采用先进的半导体制造技术,确保器件具有稳定的电气特性和长期可靠性。其SOD-523小型封装不仅节省PCB空间,还便于自动化贴片生产,适合大规模消费类电子产品制造。同时,器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,能够在极端温度条件下保持性能稳定,适用于工业级和汽车级应用环境。整体而言,TSS-183A+ 在保护性能、高频兼容性、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡,是高端射频系统中理想的ESD保护解决方案。
TSS-183A+ 主要应用于需要高性能ESD保护的射频与高速信号接口中。典型使用场景包括智能手机和平板电脑中的天线切换模块、Wi-Fi/蓝牙共存电路、UWB(超宽带)定位系统的信号线路保护,以及GPS/GLONASS等卫星导航接收前端的静电防护。在这些应用中,前端低噪声放大器(LNA)极为敏感,极易受到人体模型(HBM)或机器模型(MM)ESD事件的影响,TSS-183A+ 可以在不影响接收灵敏度的前提下提供可靠保护。
此外,该器件也广泛用于无线耳机、可穿戴设备、IoT传感器节点等小型化电子产品的射频连接器和高频走线保护。由于其超低电容特性,TSS-183A+ 特别适合用于差分高速接口,如RFID读写器、NFC天线匹配网络、毫米波雷达信号路径等场合,能够有效抑制瞬态干扰而不引入额外的信号损耗或相位失真。
在工业与汽车电子领域,TSS-183A+ 可用于车载信息娱乐系统(IVI)、车载Wi-Fi热点模块、远程无钥匙进入系统(RKE)以及TPMS(胎压监测系统)的无线信号输入端口防护。其宽温特性和高可靠性满足汽车电子AEC-Q101认证要求(若通过相关测试),适合部署在高温、高湿、强振动等恶劣环境中。同时,在基站射频单元、小型化无线网桥、工业无线传感器网络等通信基础设施中,TSS-183A+ 也能发挥关键的瞬态抑制作用,保障系统长期稳定运行。
TCLxxA系列(如TCL3A3V18)、ESP18VF1、SP1830-18VT5G、SRV05-4、TPD1E10B06