型号：TSP5N60
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：5A（@25℃）
　　连续漏极电流（Idc）：5A
　　脉冲漏极电流（Idm）：20A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2Ω（@Vgs=10V, Id=2.5A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：800pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：150pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：35ns
　　功耗（Pd）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

TSP5N60具备优异的电气特性与热稳定性，适用于多种高压开关应用场景。其核心优势在于高耐压能力与合理的导通电阻之间的平衡。600V的漏源击穿电压确保其可在标准市电整流后的高压母线上安全运行，适用于全球范围内的交流输入电源系统。该器件的Rds(on)典型值为2.2Ω，在同类产品中处于合理水平，能够在5A的工作电流下实现较低的导通损耗，减少发热，提高系统效率。
　　该MOSFET采用了优化的硅基工艺，提升了载流子迁移率，增强了开关速度。低栅极电荷（Qg）特性使得驱动电路所需驱动功率较小，尤其适合由控制器IC直接驱动的应用场合。同时，较低的输入电容和输出电容有助于减少开关过程中的能量损耗，进一步提升高频工作的可行性。其反向恢复时间较短，配合体二极管使用时可降低换流过程中的尖峰电压，提升系统EMI性能。
　　热设计方面，TSP5N60采用TO-220封装，具有良好的热传导路径，可通过外接散热片将热量有效散发至环境中。其最大功耗可达50W，结温范围宽达-55℃至+150℃，可在严苛工业环境下长期稳定运行。器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力，能在瞬态过压或感性负载关断时承受一定的能量冲击，提高了系统鲁棒性。
　　此外，TSP5N60通过了多项国际安全与环保认证，符合RoHS和REACH指令要求，适用于消费类、工业类及家电类产品。其引脚排列符合标准TO-220规范，便于替换其他同封装MOSFET，兼容性强，降低了设计变更成本。总体而言，TSP5N60是一款性价比高、可靠性强的中功率MOSFET器件，适用于多种中高压开关电源拓扑结构。

TSP5N60广泛应用于各类中等功率的电力电子系统中。最常见的用途包括反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥式（Half-Bridge）开关电源，尤其是在20W至100W范围内的AC-DC适配器和充电器中表现优异。由于其600V的耐压能力，能够直接用于整流后的310V直流母线电压环境，无需额外的电压钳位保护电路，简化了设计复杂度。
　　在LED照明领域，TSP5N60常被用作恒流驱动电路中的主开关元件，特别是在隔离式LED驱动电源中，承担能量传递与调制功能。其快速开关特性有助于实现高效率的能量转换，并支持PWM调光等智能控制方式。
　　此外，该器件也适用于小型电机驱动系统，如风扇、水泵或电动工具中的H桥或单向驱动电路。在这些应用中，TSP5N60可以作为上桥或下桥开关，实现精确的启停与调速控制。
　　在家用电器中，如电磁炉、微波炉、空气净化器等设备的电源模块或功率控制单元中，TSP5N60也被广泛采用。其稳定的性能和较强的抗干扰能力，使其在存在电磁噪声和温度波动的环境中仍能可靠工作。
　　工业控制领域中，TSP5N60可用于PLC电源模块、继电器驱动电路或DC-DC变换器中，提供高效的直流电压转换功能。得益于其良好的热稳定性和较长的使用寿命，该器件在无人值守或长时间运行的系统中表现出色。总之，TSP5N60凭借其综合性能，成为众多中功率开关应用的理想选择。

STP5N60ZFP
　　STP5NC60FD
　　FQP5N60C
　　KSP5N60QM
　　2SK2542