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TSP40N20M 发布时间 时间:2025/5/19 15:21:55 查看 阅读:22

TSP40N20M是一款N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高效率并减少能量损耗。
  这款MOSFET广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和其他电力电子设备中。其高可靠性和稳定性使其成为许多工业和消费类电子产品中的理想选择。

参数

最大漏源电压:200V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:40A
  导通电阻:0.18Ω
  总功耗:160W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 低导通电阻,可降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关特性,支持高频操作,适合现代电力电子应用。
  3. 高雪崩能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 小型封装设计,节省PCB空间,便于系统集成。
  5. 宽工作温度范围,确保在恶劣环境下的可靠运行。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动控制
  4. 逆变器电路
  5. 电池保护与管理
  6. 工业自动化设备
  7. 消费类电子产品中的功率管理模块

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