时间：2025/8/15 3:25:50
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TSP075SA是一款由东芝（Toshiba）公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，广泛用于电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于高效率电源转换应用，例如DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制和负载开关等场景。TSP075SA采用SOP（小外形封装）或类似的表面贴装封装形式，便于在PCB上安装，同时具备良好的热性能和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V（最大）
连续漏极电流（Id）：12A（在25°C）
脉冲漏极电流（Idm）：48A
导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ（最大，在Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP或DFN
功率耗散（Pd）：3.6W（典型值）
栅极电荷（Qg）：27nC
TSP075SA是一款专为高效率功率转换设计的MOSFET，其核心特性之一是极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件支持高达12A的连续漏极电流，适用于中高功率应用，同时具备高达48A的脉冲电流能力，使其在瞬态负载条件下仍能保持稳定运行。TSP075SA的栅源电压最大可达20V，提供了更宽的驱动电压范围，增强了在不同应用环境下的适应性。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和过温保护能力，能够在高温环境下可靠运行，适用于工业级和汽车电子应用。
TSP075SA的封装形式通常为SOP或DFN，这种封装方式不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，便于在紧凑的电路设计中使用。其表面贴装封装也简化了自动化生产流程，提高了制造效率。在电气性能方面，TSP075SA具有较低的栅极电荷（Qg），这有助于减少开关损耗，从而提高整体系统的能效。这些特性使TSP075SA成为高性能电源管理应用的理想选择。
TSP075SA适用于多种功率电子系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（如电动工具、电动车和储能系统）、电机驱动电路、负载开关和电源分配系统。在消费类电子产品中，它可用于高效电源适配器和充电器；在工业设备中，可应用于PLC控制模块、伺服驱动器和工业自动化系统；在汽车电子中，TSP075SA可用于车载充电器、电池管理系统和电动助力转向系统等关键部件。此外，该器件还可用于LED照明驱动电路和太阳能逆变器等新能源应用。
TSP075SA的替代型号包括Si7461DP、AO4407A、IRLML6402和FDMS8878。这些型号在导通电阻、额定电流和封装形式方面与TSP075SA相近，适用于类似的功率管理应用。
