TSM80N08CZ 时间：2025/5/12 15:39:12 阅读：10

TSM80N08CZ 是一款 N 沣道场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动和各种功率转换电路中。该器件采用 TO-220 封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的应用环境。
　　其主要特点是高击穿电压、低导通电阻以及良好的热性能，能够有效降低功耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压：80V
　　连续漏极电流：5A
　　导通电阻：100mΩ
　　栅极电荷：20nC
　　总电容：400pF
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

TSM80N08CZ 具有以下显著特性：
　　1. 高击穿电压（80V），确保在高压环境下的稳定性。
　　2. 极低的导通电阻（100mΩ），有助于减少功率损耗。
　　3. 快速开关能力，适合高频应用场景。
　　4. 良好的热性能，可承受较高的结温范围（最高达 +150℃）。
　　5. 采用标准 TO-220 封装，便于安装与散热设计。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。

应用

TSM80N08CZ 可用于多种功率电子应用领域，包括但不限于：
　　1）中的主开关或同步整流器。
　　2. DC-DC 转换器中的功率开关。
　　3. 电机驱动电路中的功率级元件。
　　4. 各类负载开关和保护电路。
　　5. 电池管理系统中的充放电控制。
　　该器件凭借其优异的性能和可靠性，成为许多功率转换和控制应用的理想选择。